壓阻式壓力傳感器簡介：

壓阻壓力傳感器是指利用單晶硅材料的壓阻效應(yīng)和集成電路技術(shù)制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化，通過測量電路就可得到正比于力變化的電信號輸出。它又稱為擴散硅壓阻壓力傳感器，它不同于粘貼式應(yīng)變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。

壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應(yīng)（Piezoresistive effect）。壓阻效應(yīng)是用來描述材料在受到機械式應(yīng)力下所產(chǎn)生的電阻變化。不同于壓電效應(yīng)，壓阻效應(yīng)只產(chǎn)生阻抗變化，并不會產(chǎn)生電荷。

大多數(shù)金屬材料與半導(dǎo)體材料都被發(fā)現(xiàn)具有壓阻效應(yīng)。其中半導(dǎo)體材料中的壓阻效應(yīng)遠大于金屬。由于硅是現(xiàn)今集成電路的主要原料，以硅制作而成的壓阻性元件的應(yīng)用就變得非常有意義。硅的電阻變化不單是來自與應(yīng)力有關(guān)的幾何形變，而且也來自材料本身與應(yīng)力相關(guān)的電阻，這使得其程度因子大于金屬數(shù)百倍之多。N型硅的電阻變化主要是由于其三個導(dǎo)帶谷對的位移所造成不同遷移率的導(dǎo)帶谷間的載子重新分布，進而使得電子在不同流動方向上的遷移率發(fā)生改變。其次是由于來自與導(dǎo)帶谷形狀的改變相關(guān)的等效質(zhì)量(effective mass)的變化。在P型硅中，此現(xiàn)象變得更復(fù)雜，而且也導(dǎo)致等效質(zhì)量改變及電洞轉(zhuǎn)換。

壓阻壓力傳感器一般通過引線接入惠斯登電橋中。平時敏感芯體沒有外加壓力作用，電橋處于平衡狀態(tài)（稱為零位），當傳感器受壓后芯片電阻發(fā)生變化，電橋?qū)⑹テ胶狻Ｈ艚o電橋加一個恒定電流或電壓電源，電橋?qū)⑤敵雠c壓力對應(yīng)的電壓信號，這樣傳感器的電阻變化通過電橋轉(zhuǎn)換成壓力信號輸出。電橋檢測出電阻值的變化，經(jīng)過放大后，再經(jīng)過電壓電流的轉(zhuǎn)換，變換成相應(yīng)的電流信號，該電流信號通過非線性校正環(huán)路的補償，即產(chǎn)生了輸入電壓成線性對應(yīng)關(guān)系的4～20mA的標準輸出信號。

為減小溫度變化對芯體電阻值的影響，提高測量精度，壓力傳感器都采用溫度補償措施使其零點漂移、靈敏度、線性度、穩(wěn)定性等技術(shù)指標保持較高水平。

賀德克傳感器常用型號：

賀德克傳感器HDA4748-H-0250-000

賀德克油閥WSM 06020W-O1M-C-N-24 DG

賀德克傳感器EDS3446-3-0400-000

賀德克壓差開關(guān)VM 2D.0/-L24

賀德克傳感器HDA4840-A-0300-424

賀德克發(fā)訊器VM5D.0/-L24

賀德克傳感器HDA4745-A-060-000

賀德克傳感器EVS-3106-A-0060-000

賀德克傳感器EDS3448-5-0100-000

賀德克充氮工具FPU-1-350/400F4G11A3K

賀德克傳感器ETS326-3-100-000

賀德克傳感器HDA4744-A-250-000

賀德克傳感器EDS3446-3-0250-00+ZBE06

賀德克傳感器HDA4745-A-0400-000

賀德克傳感器HDA4840-A-250-424（10M）

賀德克傳感器ETS1701-100-000+TFP104-000+SS

賀德克手持式測量儀HMG2500-000-E

賀德克蓄能器SB330-4A1/112U-330A

賀德克發(fā)訊器VM2D.0/-L24

賀德克傳感器EDS344-3-100-000

賀德克發(fā)訊器VL2GW.0/-V-123

賀德克壓力開關(guān)VM 5 D.0/-L220

賀德克傳感器EDS 346-1-250-000